ПРЕЗИДЕНТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
УКАЗ
от 26 августа 1996 года N 1268
О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ИЗ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
В соответствии со статьей 16 Федерального закона "О
государственном регулировании внешнеторговой деятельности" (Собрание
законодательства Российской Федерации, 1995, N 42, ст. 3923) и в
целях обеспечения выполнения международных обязательств Российской
Федерации, вытекающих из Вассенаарских договоренностей по экспортному
контролю за обычными вооружениями, товарами и технологиями двойного
назначения, постановляю:
1. Утвердить представленный Правительством Российской Федерации
Список товаров и технологий двойного назначения, экспорт которых
контролируется (прилагается).
2. Правительству Российской Федерации утвердить положение о
порядке контроля за вывозом из Российской Федерации товаров и
технологий двойного назначения, экспорт которых контролируется,
обеспечив введение его в действие одновременно с вступлением в силу
настоящего Указа.
3. Установить, что коды товарной номенклатуры внешнеэкономической
деятельности, приведенные в Списке товаров и технологий двойного
назначения, экспорт которых контролируется, при необходимости могут
уточняться Государственным таможенным комитетом Российской Федерации
по согласованию с Федеральной службой России по валютному и
экспортному контролю.
4. Признать утратившим силу распоряжение Президента Российской
Федерации от 11 февраля 1994 г. N 74-рп "О контроле за экспортом из
Российской Федерации отдельных видов сырья, материалов, оборудования,
технологий и научно-технической информации, которые могут быть
применены при создании вооружения и военной техники" (Собрание актов
Президента и Правительства Российской Федерации, 1994, N 8, ст. 591).
5. Настоящий Указ (кроме пункта 2) вступает в силу через три
месяца со дня его официального опубликования.
Президент
Российской Федерации
Б.ЕЛЬЦИН
Утвержден
Указом Президента
Российской Федерации
от 26 августа 1996 г. N 1268
СПИСОК ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ,
ЭКСПОРТ КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ
Раздел 1
-------------+---------------------------------------+------------
N | Наименование <*> |Код товарной
позиции | |номенклатуры
| |внешнеэко -
| |номической
| |деятельности
-------------+---------------------------------------+------------
Категория 1. Перспективные материалы
--------------------------------
<*> Принадлежность конкретного товара или технологии к товарам и
технологиям, подлежащим экспортному контролю, определяется
соответствием технических характеристик этого товара или технологии
техническому описанию, приведенному в графе "Наименование".
1.1. Системы, оборудование и компоненты
1.1.1. Компоненты, изготовленные из
фторированных соединений, такие как:
1.1.1.1. Уплотнения, прокладки, уплотнительные 391990900
материалы или трубчатые уплотнения,
предназначенные для применения в
авиационной или аэрокосмической технике
и изготовленные из материалов,
содержащих более 50% (по весу) любого
материала, контролируемого по
подпунктам "б" и "в" пункта 1.3.9;
1.1.1.2. Пьезоэлектрические полимеры и 392190900
сополимеры, изготовленные из фтористых
винилиденовых материалов,
контролируемых по подпункту "а" пункта
1.3.9:
а) в виде пленки или листа; и
б) толщиной более 200 мкм;
1.1.1.3. Уплотнения, прокладки, седла клапанов, 391990900
трубчатые уплотнения или диафрагмы,
изготовленные из фторэластомеров,
содержащих по крайней мере один
виниловый мономер, специально
предназначенные для авиационной,
аэрокосмической или ракетной техники
1.1.2. Композиционные конструкции или слоистые
структуры (ламинаты), имеющие любую из
следующих составляющих:
1.1.2.1. Органическую матрицу и выполненные из 392690100
материалов, контролируемых по пунктам
1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5
Примечание. По пункту 1.1.2.1 не
контролируются завершенные или
полузавершенные предметы, специально
предназначенные для следующего только
гражданского использования:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях;
1.1.2.2. Металлическую или углеродную матрицу и
выполненные из:
1.1.2.2.1. Углеродных волокнистых или нитевидных 3801;
материалов: 392690100;
а) с удельным модулем упругости свыше 690310000
10,15 x 10E6 м; и
б) с удельной прочностью на растяжение
свыше 17,7 x 10E4 м; или
1.1.2.2.2. Материалов, контролируемых по пункту
1.3.10.3
Примечание. По пункту 1.1.2.2 не
контролируются завершенные или
полузавершенные предметы, специально
предназначенные для следующего только
гражданского использования:
а) в спортивных целях;
б) в автомобильной промышленности;
в) в станкостроительной промышленности;
г) в медицинских целях
Технические примечания. 1. Удельный
модуль упругости - модуль Юнга,
выраженный в паскалях или в Н/кв. м,
деленный на удельный вес в Н/куб. м,
измеренные при температуре (296 + 2) K
((23 + 2) град. C) и относительной
влажности (50 + 5)%
2. Удельная прочность на растяжение -
критическая прочность на разрыв,
выраженная в паскалях или в Н/кв. м,
деленная на удельный вес в Н/куб. м,
измеренные при температуре (296 +/- 2)
K ((23 +/- 2) град. C) и относительной
влажности (50 +/- 5)%
Примечание. По пункту 1.1.2 не
контролируются композиционные структуры
или ламинаты, изготовленные из
эпоксидной смолы, импрегнированной
углеродом, волокнистые или нитевидные
материалы для ремонта структур
летательных аппаратов или ламинаты,
имеющие размеры, не превышающие 1 кв. м
1.1.3. Изделия из нефторидных полимерных 391990900;
веществ, контролируемых по пункту 392099900
1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты
или полосы:
1.1.3.1. При толщине свыше 0,254 мм;
1.1.3.2. Покрытые углеродом, графитом, металлами
или магнитными веществами
Примечание. По пункту 1.1.3 не
контролируются изделия, покрытые или
ламинированные медью и предназначенные
для производства электронных печатных
плат
1.1.4. Оборудование для защиты и обнаружения и
его части, не предназначенные
специально для военного применения,
такие как:
1.1.4.1. Газовые маски, коробки противогазов с 902000900
фильтрами и оборудование для
обеззараживания, предназначенные или
модифицированные для защиты от
биологических факторов или
радиоактивных материалов,
приспособленных для применения в
военных целях, или боевых химических
агентов, и специально предназначенные
для этого компоненты;
1.1.4.2. Защитные костюмы, перчатки и ботинки, 620429900;
предназначенные или модифицированные 621600000;
для защиты от биологических факторов 640590
или радиоактивных материалов,
приспособленных для применения в
военных целях, или боевых химических
агентов;
1.1.4.3. Ядерные, биологические и химические 902710100;
системы обнаружения, специально 902710900;
предназначенные или модифицированные 902790900;
для обнаружения или распознавания 903010900
биологических факторов или
радиоактивных материалов,
приспособленных для применения в
военных целях, или боевых химических
агентов, и специально предназначенные
для этого компоненты
Примечание. По пункту 1.1.4 не
контролируются:
а) персональные радиационные
мониторинговые дозиметры;
б) оборудование, ограниченное
конструктивным или функциональным
назначением для защиты от токсичных
веществ, специфичных для гражданской
промышленности: горного дела, работ в
карьерах, сельского хозяйства,
фармацевтики, медицинского,
ветеринарного использования, утилизации
отходов или для пищевой промышленности
1.1.5. Бронежилеты и специально 620429900
предназначенные компоненты,
изготовленные не по военным стандартам
или спецификациям и не равноценные им в
исполнении
Примечания. 1. По пункту 1.1.5 не
контролируются индивидуальные
бронежилеты и принадлежности к ним,
которые предназначены для
индивидуального пользования и
персональной защиты
2. По пункту 1.1.5 не контролируются
бронежилеты, предназначенные только для
обеспечения фронтальной защиты как от
осколков, так и от взрыва невоенных
взрывчатых устройств
1.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
1.2.1. Оборудование для производства волокон,
препрегов, преформ или композиционных
материалов либо изделий, контролируемых
по пунктам 1.1.2 или 1.3.10, а также
специально предназначенные компоненты и
вспомогательные устройства:
1.2.1.1. Машины для намотки волокон, у которых 844630000
перемещения, связанные с
позиционированием, обволакиванием и
намоткой волокон, координируются и
программируются по трем или более осям
и которые специально предназначены для
производства композиционных конструкций
или ламинатов из волокнистых или
нитевидных материалов;
1.2.1.2. Машины для намотки ленты или троса, у 844630000
которых перемещения, связанные с
позиционированием и намоткой ленты,
троса или рулона, координируются и
программируются по двум или более осям
и которые специально предназначены для
производства элементов корпусов боевых
ракет или летательных аппаратов из
композиционных материалов;
1.2.1.3. Ткацкие машины или машины для плетения, 844621000
действующие в разных измерениях и
направлениях, включая адаптеры и
устройства для изменения функций машин,
которые предназначены для ткачества,
перемеживания или переплетения волокон
с целью изготовления композиционных
материалов
Примечание. По пункту 1.2.1.3 не
контролируются текстильные машины, не
модифицированные для вышеуказанного
конечного использования;
1.2.1.4. Оборудование, специально
предназначенное или приспособленное для
производства усиленных волокон, такое
как:
1.2.1.4.1. Оборудование для преобразования 845610000;
полимерных волокон, таких как 845690000;
полиакрилонитрил, вискоза, пек или 851580900
поликарбосилан, в углеродные или
карбид-кремниевые волокна, включая
специальное оборудование для усиления
волокон в процессе нагревания;
1.2.1.4.2. Оборудование для осаждения паров 841780900
химических элементов или сложных
веществ на нагретую нитевидную подложку
с целью производства карбид-кремниевых
волокон;
1.2.1.4.3. Оборудование для производства 844590000;
термостойкой керамики, такой как оксид 845180900
алюминия, методом влажной намотки;
1.2.1.4.4. Оборудование для преобразования путем 845180900
термообработки волокон
алюминийсодержащих прекурсоров в
волокна, содержащие глинозем (оксид
алюминия)
1.2.1.5. Оборудование для производства 845180900;
препрегов, контролируемых по пункту 847759100;
1.3.10.5, методом горячего плавления; 847759900
1.2.1.6. Оборудование для неразрушающего 902219000;
контроля, способное обнаруживать 902229000;
дефекты в трех измерениях с применением 903180390
методов ультразвуковой или
рентгеновской томографии, специально
созданное для композиционных материалов
1.2.2. Системы и компоненты, специально
предназначенные для предотвращения
загрязнения и для производства
металлических сплавов, порошкообразных
металлических сплавов или материалов на
основе сплавов, которые контролируются
по пунктам 1.3.2.1.2, 1.3.2.2 или
1.3.2.3
1.2.3. Инструменты, пресс-формы, матрицы или 820730100
арматура для суперпластического
формования или диффузионной сварки
титана, алюминия или их сплавов,
специально предназначенных для
производства:
а) корпусов летательных аппаратов или
аэрокосмических конструкций;
б) двигателей летательных или
аэрокосмических аппаратов;
в) компонентов, специально
предназначенных для таких конструкций
или двигателей
1.3. Материалы
Техническое примечание. До тех пор,
пока нет возражений по существу, то
термины "металлы" и "сплавы" охватывают
следующие необработанные и
полуфабрикатные формы:
необработанные формы - аноды, шары,
полосы (включая отрубленные полосы и
проволочные полосы), металлические
заготовки, блоки, стальные болванки,
брикеты, бруски, катоды, кристаллы,
кубы, стаканы, зерна, гранулы, слитки,
глыбы, катыши, чушки, порошок, кольца,
дробь, слябы, куски металла
неправильной формы, губка, прутки;
полуфабрикатные формы (независимо от
того, облицованы, анодированы,
просверлены либо прессованы они или
нет):
а) определенной формы или обработанные
материалы, полученные путем прокатки,
волочения, горячей штамповки
выдавливанием, ковки, импульсного
выдавливания, прессования, дробления,
распыления и размалывания, а именно:
угольники, швеллеры, кольца, диски,
пыль, хлопья, фольга и лист, поковки,
плиты, порошок, изделия, обработанные
прессованием или штамповкой, ленты,
фланцы, прутки (включая сварные
брусковые прутки, проволочные прутки и
прокатанные проволоки), профили, формы,
листы, полоски, трубы и трубки (включая
трубные кольца, трубные прямоугольники
и полостные трубки), тянутая или
экструдированная проволока;
б) литейный материал (отливки),
полученный литьем в песке, матрице,
металле, пластике или других типах
материалов, включая литье под высоким
давлением, "шлаковые формы"
(оплавляемые модели) и формы,
полученные с помощью порошковой
металлургии.
Цель контроля не должна нарушаться
экспортом форм, выдаваемых за
законченные изделия, не указанные в
Списке, но которые на самом деле
представляют собой контролируемые
заготовки или полуфабрикаты
1.3.1. Материалы, специально предназначенные
для поглощения электромагнитных волн,
или электропроводящие полимеры, такие
как:
1.3.1.1. Материалы для поглощения волн на 381519000;
частотах, превышающих 2 x 10E8 Гц, но 391000000
меньших 3 x 10E12 Гц
Примечания. 1. По пункту 1.3.1.1 не
контролируются:
а) абсорберы волосяного типа,
изготовленные из натуральных и
синтетических волокон, с немагнитной
загрузкой для абсорбции;
б) абсорберы, не имеющие магнитных
потерь, рабочая поверхность которых не
является плоской, включая пирамиды,
конусы, клинья и спиралевидные
поверхности;
в) плоские абсорберы, имеющие все
следующие характеристики:
1) изготовленные из любых следующих
материалов:
пенопластических материалов (гибких или
негибких) с углеродным наполнением или
органических материалов, включая
связывающие присадки, обеспечивающих
коэффициент отражения более 5% по
сравнению с металлом в диапазоне волн,
отличающихся от центральной частоты
падающей энергии более чем на +/- 15%,
и не способных противостоять
температурам, превышающим 450 K
(177 град. С); или
керамических материалов, обеспечивающих
более чем 20% отражение по сравнению с
металлами в диапазоне +/- 15%
центральной частоты падающей энергии и
не способных противостоять
температурам, превышающим 800 K
(527 град. C)
Техническое примечание. Образцы для
проведения испытаний на поглощение по
последнему подпункту примечания 1 к
пункту 1.3.1.1 должны иметь форму
квадрата со стороной не менее пяти длин
волн на центральной частоте,
расположенной в дальней зоне
излучающего элемента
2) с прочностью на растяжение менее 7 x
10E6 Н/кв. м; и
3) с прочностью на сжатие менее 14 x
10E6 Н/кв. м
г) плоские абсорберы, выполненные из
спеченного феррита, имеющие:
1) удельный вес более 4,4; и
2) максимальную рабочую температуру
548 K (275 град. C)
2. По пункту 1.3.1.1 контролируются
также краски, содержащие в своем
составе магнитные материалы,
обеспечивающие поглощение волн;
1.3.1.2. Материалы для поглощения волн на 381519000;
частотах, превышающих 1,5 x 10E14 Гц, 391000000
но меньших 3,7 x 10E14 Гц, и
непрозрачные для видимого света;
1.3.1.3. Электропроводящие полимерные материалы
с объемной электропроводностью свыше
10000 См/м или поверхностным удельным
сопротивлением менее 100 Ом/кв. м,
выполненные на основе любого из
следующих полимеров:
1.3.1.3.1. Полианилина; 390930000
1.3.1.3.2. Полипиролла; 391190900
1.3.1.3.3. Политиофена; 391190900
1.3.1.3.4. Полифенилен-винилена; или 391190900
1.3.1.3.5. Политиенилен-винилена 391990900
Техническое примечание. Объемная
электропроводность и поверхностное
удельное сопротивление должны
определяться в соответствии со
стандартной методикой ASTM D-257 или ее
национальным эквивалентом
1.3.2. Металлические сплавы, порошки
металлических сплавов или сплавленные
материалы следующего типа:
Примечание. По пункту 1.3.2 не
контролируются металлические сплавы,
порошки металлических сплавов или
сплавленные материалы, предназначенные
для грунтующих покрытий
1.3.2.1. Металлические сплавы, такие как:
1.3.2.1.1. Нижеперечисленные сплавы на основе
никеля или титана в форме алюминидов в
виде сырья или полуфабрикатов:
1.3.2.1.1.1. Никелевые алюминиды, содержащие 750220000
минимально 15% (по весу), максимально
38% (по весу) алюминия и не менее
одного дополнительного элемента сплава;
1.3.2.1.1.2. Титановые алюминиды, содержащие 10% (по 810810100
весу) или более алюминия и не менее
одного дополнительного элемента сплава
1.3.2.1.2. Металлические сплавы, изготовленные из 750220000
порошкового металлического сплава или
имеющие вкрапления материалов,
контролируемых по пункту 1.3.2.2,
такие как:
1.3.2.1.2.1. Никелевые сплавы: 750220000
а) со сроком эксплуатации 10000 часов
или более до разрыва в условиях
нагружения на уровне 676 МПа при
температуре 923 K (650 град. C); или
б) с низким показателем циклической
усталости, 10000 циклов или более, при
температуре 823 K (550 град. C) и
максимальном нагружении 1095 МПа;
1.3.2.1.2.2. Ниобиевые сплавы:
а) со сроком эксплуатации 10000 часов 811291310;
или более до разрыва в условиях 811299300
нагружения на уровне 400 МПа при
температуре 1073 K (800 град. C); или
б) с низким показателем циклической
усталости, 10000 циклов или более, при
температуре 973 K (700 град. C) и
максимальном нагружении 700 МПа;
1.3.2.1.2.3. Титановые сплавы: 810810100
а) со сроком эксплуатации 10000 часов
или более до разрыва в условиях
нагружения на уровне 200 МПа при
температуре 723 K (450 град. C); или
б) с низким показателем циклической
усталости, 10000 циклов или более, при
температуре 723 K (450 град. C) и
максимальном нагружении 400 МПа;
1.3.2.1.2.4. Алюминиевые сплавы с пределом 760120;
длительной прочности: 760429100;
а) 240 МПа или более при температуре 760820910;
473 K (200 град. C); или 760820990
б) 415 МПа или более при температуре
298 K (25 град. C);
1.3.2.1.2.5. Магниевые сплавы с пределом длительной 8104
прочности 345 МПа или более и скоростью
коррозии менее 1 мм в год в
3-процентном водном растворе хлорида
натрия, измеренной в соответствии со
стандартной методикой ASTM G-31 или ее
национальным эквивалентом
Технические примечания. 1. К
металлическим сплавам, указанным в
пункте 1.3.2.1, относятся те, которые
содержат больший процент (по весу)
указанного металла, чем других
элементов
2. Срок эксплуатации до разрыва следует
определять в соответствии со
стандартной методикой АSTM Е-139 или ее
национальным эквивалентом
3. Показатель циклической усталости
должен определяться в соответствии со
стандартной методикой ASTM Е-606
"Рекомендаций по тестированию на
усталость при небольшом количестве
циклов и постоянной амплитуде" или ее
национальным эквивалентом. Тестирование
следует производить в осевом
направлении при среднем значении
показателя нагрузки, равном единице, и
коэффициенте концентрации нагрузки
(Kt), равном единице. Средняя нагрузка
определяется как частное от деления
разности максимальной и минимальной
нагрузок на максимальную нагрузку
1.3.2.2. Порошки металлических сплавов или
частицы материала для материалов,
контролируемых по пункту 1.3.2.1,
такие как:
1.3.2.2.1. Изготовленные из любых следующих
композиционных систем:
Техническое примечание. Х в
дальнейшем соответствует одному или
более элементам, входящим в состав
сплава
1.3.2.2.1.1. Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), 750400000
квалифицированные для использования в
составе частей или компонентов турбин
двигателей, т.е. менее чем с тремя
неметаллическими частицами (введенными
в процессе производства) крупнее
100 мкм в 10E9 частицах сплава;
1.3.2.2.1.2. Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, 811291310;
Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или 811299300
Nb-X-Ti);
1.3.2.2.1.3. Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); 810810100
1.3.2.2.1.4. Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или 7603
Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X
или Al-X-Fe); или
1.3.2.2.1.5. Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); 810430000
и
1.3.2.2.2. Изготовленные в контролируемой среде
при помощи одного из нижеследующих
процессов:
а) вакуумного распыления;
б) газового распыления;
в) центробежного распыления;
г) резкого охлаждения;
д) спиннингования расплава и
кристаллизации;
е) экстракции расплава и
кристаллизации; или
ж) механического легирования
1.3.2.3. Сплавленные материалы в виде 750300900;
неизмельченных зерен, стружек или 750400000;
тонких стержней, изготавливаемых в 750512000;
контролируемой среде методом резкого 760200100;
охлаждения, спиннингования расплава или 760320000;
экстракцией расплава, используемые при 760429100;
производстве порошка для металлических 810430000;
сплавов или частиц материалов, 810490100;
контролируемых по пункту 1.3.2.2 810810100;
810810900;
810890300;
811291310;
811291390;
811299300
1.3.3. Магнитные материалы всех типов и любой
формы, имеющие какую-нибудь из
следующих характеристик:
1.3.3.1. Начальную относительную магнитную 850511000;
проницаемость 120000 или более и 850519;
толщину 0,05 мм или менее 850519100;
850519900
Техническое примечание. Замер
начальной относительной магнитной
проницаемости должен осуществляться с
использованием полностью отожженных
материалов;
1.3.3.2. Магнитострикционные сплавы, имеющие 720690000
любую из следующих характеристик:
а) магнитострикционное насыщение более
5 x 10E-4; или
б) коэффициент магнитомеханического
сцепления (к) более 0,8; или
1.3.3.3. Аморфная или нанокристаллическая 7206;
стружка сплава, имеющая все следующие 750400000;
характеристики: 8105
а) состав минимум 75% (по весу)
железа, кобальта или никеля;
б) магнитную индукцию насыщения (Bs)
1,6 Т или более; и
в) любое из нижеследующего:
1) толщину стружки не более 0,02 мм;
или
2) удельное электрическое сопротивление
2 x 10E-4 Ом/см или более
Примечание. Нанокристаллические
материалы, указанные в пункте 1.3.3.3,
являются материалами, имеющими
кристаллические зерна размером 50 нм
или менее, что определяется дифракцией
Х-лучей
1.3.4. Урано-титановые сплавы или вольфрамовые 284410000;
сплавы с матрицей на основе железа, 810810100;
никеля или меди, имеющие все следующие 810199000
характеристики:
а) плотность свыше 17,5 г/куб. см;
б) предел упругости свыше 1250 МПа;
в) предел прочности на растяжение более
1270 МПа;
г) относительное удлинение свыше 8%
1.3.5. Сверхпроводящие композиционные
материалы длиной более 100 м или
массой, превышающей 100 г, такие как:
1.3.5.1. Многожильные сверхпроводящие 811299300;
композиционные материалы, содержащие 854419900
одну или несколько ниобиево-титановых
нитей:
а) уложенные в матрицу не из меди или
не на основе медьсодержащего материала;
или
б) имеющие площадь поперечного сечения
менее 0,28 x 10E-4 кв. мм (6 мкм в
диаметре при нитях круглого сечения);
1.3.5.2. Сверхпроводящие композиционные 854419900
материалы, состоящие из одной или более
сверхпроводящих нитей, выполненных не
из ниобий-титана, имеющие все следующие
характеристики:
а) с критической температурой при
нулевой магнитной индукции, превышающей
9,85 K (-263,31 град. C), но не ниже
24 K (-249,16 град. C);
б) площадь поперечного сечения менее
0,28 x 10E-4 кв. мм; и
в) остающиеся в состоянии
сверхпроводимости при температуре 4,2 K
(-268,96 град. C), находясь в магнитном
поле, соответствующем магнитной
индукции 12 Т
1.3.6. Жидкости и смазочные материалы, такие
как:
1.3.6.1. Гидравлические жидкости, содержащие в
качестве основных составляющих любые из
следующих веществ и материалов:
1.3.6.1.1. Синтетические углеводородные масла или 381900000;
кремний-углеводородные масла, имеющие 290919000;
все следующие характеристики: 391000000
а) точку возгорания свыше 477 K
(204 град. C);
б) точку застывания 239 K (-34 град. C)
или ниже;
в) коэффициент вязкости 75 или более;
г) термостабильность при 616 K
(343 град. C); или
1.3.6.1.2. Хлоро-фторуглероды, имеющие все 381900000;
следующие характеристики: 382390960;
а) точка возгорания отсутствует; 2812;
б) температуру самовоспламенения свыше 2826
977 K (704 град. C);
в) точку застывания 219 K (-54 град. C)
или ниже;
г) коэффициент вязкости 80 или более; и
д) точку кипения 473 K (200 град. C)
или более
Примечания. 1. Для целей, указанных
в пункте 1.3.6.1.1,
кремний-углеводородные масла содержат
исключительно кремний, водород и
углерод
2. Для целей, указанных в пункте
1.3.6.1.2, хлоро-фторуглероды содержат
исключительно углерод, фтор и хлор
1.3.6.2. Смазочные материалы, содержащие в
качестве основных составляющих
следующие вещества или материалы:
1.3.6.2.1. Фениленовые или алкилфениленовые эфиры 290930900;
или тиоэфиры или их смеси, содержащие 293090800
более двух эфирных или тиоэфирных
функций или их смесей; или
1.3.6.2.2. Фторированные кремнийсодержащие 391000000
жидкости, характеризуемые
кинематической вязкостью менее
5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при
температуре 298 K (25 град. C)
1.3.6.3. Увлажняющие или флотирующие жидкости с
показателем чистоты более 99,8%,
содержащие менее 25 частиц размером
200 мкм или более на 100 мл и
изготовленные по меньшей мере на 85%
из любых следующих соединений и
материалов:
1.3.6.3.1. Дибромтетрафторэтана; 290340800
1.3.6.3.2. Полихлортрифторэтилена (только 390469000
маслянистые и воскообразные
модификации); или
1.3.6.3.3. Полибромтрифторэтилена 390469000
1.3.6.4. Фторуглеродные охлаждающие жидкости для 382390980
электроники, имеющие все следующие
характеристики:
1.3.6.4.1. Содержащие 85% (по весу) или более
любого из следующих веществ или их
смесей:
1.3.6.4.1.1. Мономерных форм
перфторполиалкилэфиртриазинов или
перфторалифатических эфиров;
1.3.6.4.1.2. Перфторалкиламинов;
1.3.6.4.1.3. Перфторциклоалканов; или
1.3.6.4.1.4. Перфторалканов
1.3.6.4.2. Плотность 1,5 г/мл или более при 298 K
(25 град. C);
1.3.6.4.3. Жидкое состояние при 273 K (0 град. C);
и
1.3.6.4.4. Содержащие 60% (по весу) или более
фтора
Техническое примечание. Для целей,
указанных в пункте 1.3.6:
а) точка возгорания определяется с
использованием метода Кливлендской
открытой чашки, описанного в
стандартной методике ASTM D-92 или ее
национальных эквивалентах;
б) точка плавления определяется с
использованием специального метода,
описанного в стандартной методике ASTM
D-97 или ее национальных эквивалентах;
в) коэффициент вязкости определяется с
использованием специального метода,
описанного в стандартной методике ASTM
D-2270 или ее национальных
эквивалентах;
г) термостабильность определяется в
соответствии со следующей методикой
испытаний или ее национальными
эквивалентами: 20 мл испытуемой
жидкости помещаются в камеру объемом
46 мл из нержавеющей стали типа 317,
содержащую шары номинального диаметра
12,5 мм из инструментальной стали М-10,
стали марки 52100 и корабельной бронзы
(60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn); камера
продута азотом, загерметизирована при
давлении, равном атмосферному, и
температуре, повышенной до
(644 +/- 6) K ((371 +/- 6 град. C)) и
выдерживаемой в течение шести часов;
образец признается термостабильным,
если по завершении вышеописанной
процедуры выполняются следующие
условия:
1) потеря веса каждого шара не
превышает 10 мг/кв. мм его поверхности;
2) изменение первоначальной вязкости,
определенной при 311 K (38 град. C), не
превышает 25%;
3) общее кислотное или базовое число не
превышает 0,40;
д) температура автогенного
воспламенения определяется с
использованием специального метода,
описанного в стандартной методике ASTM
E-659 или ее национальных эквивалентах
1.3.7. Материалы на керамической основе,
некомпозиционные керамические
материалы, композиционные материалы с
керамической матрицей и материалы -
предшественники, такие как:
1.3.7.1. Основные материалы из простых или 285000900
сложных боридов титана, имеющие
суммарно металлические примеси,
исключая специальные добавки, на уровне
менее 5000 частиц на миллион, при
среднем размере частицы равном или
меньшем 5 мкм, и при этом не более 10%
частиц имеют размер более 10 мкм;
1.3.7.2. Некомпозиционные керамические материалы 285000900
в сыром виде или в виде полуфабриката
на основе боридов титана с плотностью
98% или более от теоретического
предела
Примечание. По пункту 1.3.7.2 не
контролируются абразивы;
1.3.7.3. Композиционные материалы типа 2849;
керамика - керамика со стеклянной или 285000;
оксидной матрицей, укрепленные 880390990;
волокнами, имеющими удельную прочность 930690
на растяжение 12,7 x 10E3 м, любой из
нижеследующих систем:
а) Si-N;
б) Si-C;
в) Si-Al-O-N; или
г) Si-O-N;
1.3.7.4. Композиционные материалы типа 880390990;
керамика - керамика с постоянной 930690
металлической фазой или без нее,
включающие частицы, нитевидные
кристаллы или волокна, в которых
матрица образована из карбидов или
нитридов кремния, циркония или бора;
1.3.7.5. Материалы - предшественники (т.е. 391000000
полимерные или металлоорганические
материалы специализированного
назначения) для производства какой-либо
фазы или фаз материалов, контролируемых
по пункту 1.3.7.3, такие как:
а) полидиорганосиланы (для производства
карбида кремния);
б) полисилазаны (для производства
нитрида кремния);
в) поликарбосилазаны (для производства
керамики с кремниевыми, углеродными или
азотными компонентами);
1.3.7.6. Композиционные материалы типа 6903;
керамика - керамика с оксидными или 691490900
стеклянными матрицами, укрепленные
непрерывными волокнами любой из
следующих систем:
1.3.7.6.1. Al2O3; или
1.3.7.6.2. Si-C-N
Примечание. По пункту 1.3.7.6 не
контролируются композиционные
материалы, содержащие волокна из этих
систем, имеющие предел прочности на
растяжение менее 700 МПа при 1273 K
(1000 град. C) или относительное
удлинение более 1% при нагрузке 100 МПа
и 1273 K (1000 град. C) за 100 ч
1.3.8. Полимерные вещества, не содержащие
фтор, такие как:
1.3.8.1.1. Бисмалеимиды; 292519900
1.3.8.1.2. Ароматические полиамидимиды; 390890000
1.3.8.1.3. Ароматические полиимиды; 390930000
1.3.8.1.4. Ароматические полиэфиримиды, имеющие 390720900;
температуру перехода в стеклообразное 390791900
состояние (Tg) более 513 K
(240 град. C), измеренную сухим
методом, описанным в стандартной
методике ASTM D 3418
Примечание. По пункту 1.3.8.1 не
контролируются неплавкие порошки для
формообразования под давлением или
фасонных форм
1.3.8.2. Термопластичные жидкокристаллические 390791900
сополимеры, имеющие температуру
тепловой деформации более 523 K
(250 град. C), измеренную в
соответствии со стандартной методикой
ASTM D-648, метод А, или ее
национальными эквивалентами, при
нагрузке 1,82 Н/кв. мм, и образованные
сочетанием:
а) любого из следующих веществ:
1) фенилена, бифенилена или нафталина;
или
2) метила, тетрабутила или
фенил-замещенного фенилена, бифенилена
или нафталина; и
б) любой из следующих кислот:
1) терефталиковой кислоты;
2) 6-гидроксил-2 нафтоиковой кислоты;
3) 4-гидроксил бензойной кислоты;
1.3.8.3. Полиариленовые эфирные кетоны, такие
как:
1.3.8.3.1. Полиэфироэфирокетон (ПЭЭК); 390791900
1.3.8.3.2. Полиэфирокетон-кетон (ПЭКК); 390791900
1.3.8.3.3. Полиэфирокетон (ПЭК); 390791900
1.3.8.3.4. Полиэфирокетон эфирокетон-кетон 380791900
(ПЭКЭКК)
1.3.8.4. Полиариленовые кетоны; 390799000
1.3.8.5. Полиариленовые сульфиды, где ариленовая 391190900
группа представляет собой бифенилен,
трифенилен или их комбинации;
1.3.8.6. Полибифениленэфирсульфон 391190900
Техническое примечание. Температура
перехода в стеклообразное состояние
(Tg) для материалов, контролируемых по
пункту 1.3.8, определяется с
использованием метода, описанного в
стандартной методике ASTM D 3418,
применяющей сухой метод
1.3.9. Необработанные соединения фтора, такие 390469000
как:
а) сополимеры винилидена фторида,
содержащие 75% или более структуры
бета-кристаллина, полученной без
вытягивания;
б) фтористые полиимиды, содержащие 10%
(по весу) или более связанного фтора;
в) фтористые фосфазеновые эластомеры,
содержащие 30% (по весу) или более
связанного фтора
1.3.10. Нитевидные или волокнистые материалы,
которые могут быть использованы в
органических, металлических или
углеродных матричных композиционных
материалах или слоистых структурах,
такие как:
1.3.10.1. Органические волокнистые или нитевидные 392690100
материалы, имеющие все следующие
характеристики:
а) удельный модуль упругости свыше 12,7
x 10E6 м; и
б) удельную прочность на растяжение
свыше 23,5 x 10E4 м
Примечание. По пункту 1.3.10.1 не
контролируется полиэтилен;
1.3.10.2. Углеродные волокнистые или нитевидные 3801;
материалы, имеющие все следующие 392690100;
характеристики: 540210100;
а) удельный модуль упругости свыше 12,7 540490900;
x 10E6 м; и 681510000;
б) удельную прочность на растяжение 690310000
свыше 23,5 x 10E4 м
Техническое примечание. Свойства
материалов, указанных в пункте
1.3.10.2, должны определяться методами
12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми
Ассоциацией производителей
усовершенствованных композиционных
материалов (SACMA), или их
национальными эквивалентами и должны
основываться на средних значениях из
большого количества опытов
Примечание. По пункту 1.3.10.2 не
контролируются изделия, изготовленные
из волокнистых или нитевидных
материалов, для ремонта структур
летательных аппаратов или ламинаты, у
которых размеры единичных листов не
превышают 50 x 90 см;
1.3.10.3. Неорганические волокнистые или 392690100;
нитевидные материалы, имеющие все 810192000;
следующие характеристики: 810890300 -
а) удельный модуль упругости, 810890700
превышающий 2,54 x 10E6 м; и
б) точку плавления, размягчения,
разложения или сублимации в инертной
среде, превышающую 1922 K (1649 град.
C)
Примечание. По пункту 1.3.10.3 не
контролируются:
а) дискретные, многофазные,
поликристаллические волокна глинозема,
содержащие 3% или более (по весу)
кремнезема, имеющие удельный модуль
упругости менее 10 x 10E6 м;
б) молибденовые волокна и волокна из
молибденовых сплавов;
в) волокна на основе бора;
г) дискретные керамические волокна с
температурой плавления, размягчения,
разложения или сублимации в инертной
среде менее 2043 K (1770 град. C);
1.3.10.4. Волокнистые или нитевидные материалы:
1.3.10.4.1. Изготовленные из любого из следующих
материалов:
1.3.10.4.1.1. Полиэфиримидов, контролируемых по 540249990;
пункту 1.3.8.1; или 550190000;
550390900
1.3.10.4.1.2. Материалов, контролируемых по пунктам 540224990;
1.3.8.2, 1.3.8.3, 1.3.8.4, 1.3.8.5 или 550190900;
1.3.8.6; или 550390900
1.3.10.4.2. Изготовленные из материалов,
контролируемых по пунктам 1.3.10.4.1.1
или 1.3.10.4.1.2, и связанные с
волокнами других типов, контролируемых
по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или
1.3.10.3
1.3.10.5. Волокна, импрегнированные смолой или 3801;
пеком (препреги), волокна, покрытые 392690100;
металлом или углеродом (преформы), или 681510000;
преформы углеродных волокон следующего 681599900;
типа: 690310000;
а) изготовленные из волокнистых или 701910;
нитевидных материалов, контролируемых 701920
по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или
1.3.10.3;
б) изготовленные из органических или
углеродных волокнистых или нитевидных
материалов:
1) с удельной прочностью на растяжение,
превышающей 17,7 x 10E4 м;
2) с удельным модулем упругости,
превышающим 10,15 x 10E6 м;
3) не контролируемых по пунктам
1.3.10.1 или 1.3.10.2; и
4) импрегнированных материалами,
контролируемыми по пунктам 1.3.8 или
1.3.9.2, обладающие температурой
перехода в стеклообразное состояние
(Tg) свыше 383 K (110 град. C), или
фенольными или эпоксидными смолами,
имеющие температуру перехода в
стеклообразное состояние (Tg) равную
или превышающую 418 K (145 град. C)
Примечание. По пункту 1.3.10.5 не
контролируются:
а) матрицы из эпоксидной смолы,
импрегнированные углеродными
волокнистыми или нитевидными
материалами (препрегами), для ремонта
структур летательных аппаратов или
ламинаты, у которых размер единичных
листов препрегов не превышает
50 x 90 см;
б) препреги, импрегнированые фенольными
или эпоксидными смолами, имеющими
температуру перехода в стеклообразное
состояние (Tg) менее 433 K (160 град.
C) и температуру отверждения меньшую,
чем температура перехода
в стеклообразное состояние
Техническое примечание. Температура
перехода в стеклообразное состояние
(Tg) для материалов, контролируемых по
пункту 1.3.10.5, определяется с
использованием метода, описанного в
ASTM D 3418, с применением сухого
метода. Температура перехода в
стеклообразное состояние для фенольных
эпоксидных смол определяется с
использованием метода, описанного в
ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и
скорости нагрева 2 град. С в минуту,
с применением сухого метода
Технические примечания. 1. Удельный
модуль упругости определяется как
модуль Юнга, выраженный в паскалях или
в Н/кв. м, деленный на удельный вес в
Н/куб. м, измеренные при температуре
(296 +/- 2) К ((23 +/- 2) град. С) и
относительной влажности (50 +/- 5)%
2. Удельная прочность на растяжение
определяется как критическая прочность
на разрыв, выраженная в паскалях или в
Н/кв. м, деленная на удельный вес в
Н/куб. м, измеренные при температуре
(296 +/- 2) К ((23 +/- 2) град. С) и
относительной влажности (50 +/- 5)%
1.3.11. Металлы и компаунды, такие как:
1.3.11.1. Металлы в виде частиц с размерами менее 810430000;
60 мкм, имеющие сферическую, 810910100
пылевидную, сфероидальную форму,
расслаивающиеся или молотые,
изготовленные из материала, содержащего
99% или более циркония, магния или их
сплавов
Особое примечание. Металлы или
сплавы, указанные в пункте 1.3.11.1,
подлежат контролю независимо от того,
инкапсулированы они или нет в алюминий,
магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.2. Бор или карбид бора чистотой 85% или 280450100;
выше и с размером частиц 60 мкм или 284990100
менее
Особое примечание. Металлы или
сплавы, указанные в пункте 1.3.11.2,
подлежат контролю независимо от того,
инкапсулированы они или нет в алюминий,
магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.3. Гуанидин нитрат 282510000;
283429900;
2904
1.3.12. Материалы для ядерных тепловых
источников, такие как:
1.3.12.1. Плутоний в любой форме с содержанием 284420910;
изотопа плутония-238 более 50% (по 284420990
весу)
Примечание. По пункту 1.3.12.1 не
контролируются:
а) поставки, содержащие один грамм
плутония или менее;
б) поставки, содержащие три
"эффективных грамма" плутония или менее
при использовании в качестве
чувствительного элемента в приборах;
1.3.12.2. Предварительно очищенный нептуний-237 в 284440000
любой форме
Примечание. По пункту 1.3.12.2 не
контролируются поставки с содержанием в
один грамм нептуния-237 или менее
1.4. Программное обеспечение
1.4.1. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для разработки, производства или
применения оборудования,
контролируемого по пункту 1.2
1.4.2. Программное обеспечение для разработки
органических матриц, металлических
матриц или углеродных матричных
ламинатов или композиционных материалов
1.5. Технология
1.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пунктам
1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2
или 1.3
1.5.2. Другие технологии, такие как:
1.5.2.1. Технологии для разработки или
производства полибензотиазолов или
полибензоксазолей;
1.5.2.2. Технологии для разработки или
производства фтористых эластомерных
соединений, содержащих по крайней мере
один винилэфирный мономер;
1.5.2.3. Технологии для проектирования или
производства следующих базовых
материалов или некомпозиционных
керамических материалов:
1.5.2.3.1. Базовых материалов, обладающих всем
нижеперечисленным:
1.5.2.3.1.1. Любой из следующих структур:
а) простыми или сложными оксидами
циркония и сложными оксидами кремния
или алюминия;
б) простыми нитридами бора (с
кубическими формами кристаллов);
в) простыми или сложными карбидами
кремния или бора; или
г) простыми или сложными нитридами
кремния;
1.5.2.3.1.2. Суммарными металлическими примесями,
исключая преднамеренно вносимые
добавки, в количестве, не превышающем:
а) 1000 частей на миллион для простых
оксидов или карбидов; или
б) 5000 частей на миллион для сложных
соединений или простых нитридов; и
1.5.2.3.1.3. Любой из следующих характеристик:
а) средний размер частицы равен или
меньше 5 мкм и не более 10% частиц с
размером, превышающим 10 мкм; или
Примечание. Для циркония
представленные выше пределы ограничены
соответственно 1 мкм и 5 мкм
б) имеющие все следующие
характеристики:
1) защитные пластинки с отношением
длины к толщине, превышающим значение
5;
2) короткие стержни ("усы") с
отношением длины к диаметру,
превышающим значение 10 для диаметров
стержней менее 2 мкм; и
3) длинные или рубленые волокна с
диаметром меньшим 10 мкм
1.5.2.3.2. Некомпозиционных керамических
материалов, изготовленных из
материалов, указанных в пункте
1.5.2.3.1
Примечание. По пункту 1.5.2.3.2 не
контролируются абразивные материалы
1.5.2.4. Технологии для производства
ароматических полиамидных волокон;
1.5.2.5. Технологии для сборки, эксплуатации или
восстановления материалов,
контролируемых по пункту 1.3.1;
1.5.2.6. Технологии для восстановления
композиционных материалов, слоистых
структур или материалов, контролируемых
по пунктам 1.1.2, 1.3.7 или 1.3.7.4
Примечание. По пункту 1.5.2.6 не
контролируются технологии для ремонта
структур гражданских летательных
аппаратов, использующие углеродные
волокнистые или нитевидные материалы и
эпоксидные смолы, содержащиеся в
авиационных изделиях
Категория 2. Обработка материалов
2.1. Системы, оборудование и компоненты
2.1.1. Антифрикционные подшипники или системы
подшипников и их компоненты, такие
как:
Примечание. По пункту 2.1 не
контролируются шарикоподшипники с
допусками, устанавливаемыми
производителем в соответствии с
международным стандартом ИСО 3290 по
классу 5 или хуже
2.1.1.1. Шариковые и твердороликовые подшипники, 848210900;
имеющие допуски, устанавливаемые 848250000
производителем в соответствии с
международным стандартом ИСО по
классу 4 или лучше или его национальным
эквивалентом, и имеющие кольца, шарики
или ролики, сделанные из
медно-никелевого сплава или бериллия
Примечание. По пункту 2.1.1.1 не
контролируются конические роликовые
подшипники;
2.1.1.2. Другие шариковые и твердороликовые 848280000
подшипники, имеющие допуски,
устанавливаемые производителем в
соответствии с международным стандартом
ИСО по классу 2 или лучше или его
национальным эквивалентом
Примечание. По пункту 2.1.1.2 не
контролируются конические роликовые
подшипники;
2.1.1.3. Активные магнитные подшипниковые 848330100;
системы, имеющие любую из следующих 848330900
составляющих:
а) материалы с магнитной индукцией 2 Т
или больше и пределом текучести больше
414 МПа;
б) оснащенные электромагнитным
устройством для привода с трехмерным
униполярным высокочастотным
подмагничиванием; или
в) высокотемпературные, с температурой
450 K (177 град. C) и выше, позиционные
датчики
2.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
Технические примечания. 1.
Вторичные параллельные горизонтальные
оси (например, W-ось на фрезах
горизонтальной расточки или вторичная
ось вращения, центральная линия которой
параллельна первичной оси вращения) не
засчитываются в общее число
горизонтальных осей
Особое примечание. Ось вращения
необязательно предусматривает поворот
на угол, больший 360 град. Ось вращения
может управлять устройством линейного
перемещения (например, винтом или
зубчатой рейкой)
2. Номенклатура оси определяется в
соответствии с международным стандартом
ИСО 841 "Станки с числовым программным
управлением. Номенклатура осей и видов
движения"
3. Для этой категории наклоняющиеся
шпиндели рассматриваются как оси
вращения
4. Вместо индивидуальных протоколов
испытаний для каждой модели станка
могут быть применены гарантируемые
уровни точности позиционирования,
использующие согласованные процедуры
испытаний, соответствующие
международному стандарту ИСО
5. Точность позиционирования станков с
числовым программным управлением должна
быть определена и представлена в
соответствии с международным стандартом
ИСО 230/2
2.2.1. Станки, приведенные ниже, и любые их
сочетания для обработки или резки
металлов, керамики и композиционных
материалов, которые в соответствии с
техническими спецификациями
изготовителя могут быть оснащены
электронными устройствами для числового
программного управления:
2.2.1.1. Токарные станки, имеющие все следующие 8458;
характеристики: 846490900;
а) точность позиционирования со всей 846599100
доступной компенсацией менее (лучше)
6 мкм вдоль любой линейной оси (общий
выбор позиции); и
б) две или более оси, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления
Примечание. По пункту 2.2.1.1 не
контролируются токарные станки,
специально разработанные для
производства контактных линз;
2.2.1.2. Фрезерные станки, имеющие любую из 845931000;
следующих характеристик: 845939000;
а) точность позиционирования со всей 845951000;
доступной компенсацией меньше (лучше) 845961;
6 мкм вдоль любой линейной оси (общий 845969;
выбор позиции); и 846490900;
три линейные оси плюс одну ось 846592000
вращения, которые могут быть
одновременно скоординированы для
контурного управления;
б) пять или более осей, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления; или
в) точность позиционирования для
копировально-расточных станков со всей
доступной компенсацией меньше (лучше)
4 мкм вдоль любой линейной оси (общий
выбор позиции);
2.2.1.3. Шлифовальные станки, имеющие любую из 846011000;
следующих характеристик: 846019000;
а) точность позиционирования со всей 846021;
доступной компенсацией меньше (лучше) 846029;
4 мкм вдоль любой линейной оси (общий 846420900;
выбор позиции); и 846593000
три или более оси, которые могут быть
одновременно скоординированы для
контурного управления; или
б) пять или более осей, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления
Примечание. По пункту 2.2.1.3 не
контролируются следующие шлифовальные
станки:
а) цилиндрические внешние, внутренние и
внешне-внутренние шлифовальные станки,
обладающие всеми следующими
характеристиками:
1) ограниченные цилиндрическим
шлифованием; и
2) с максимально возможной длиной или
диаметром изделия 150 мм;
б) станки, специально спроектированные
для шлифования по шаблону и имеющие
любую из следующих характеристик:
1) C-ось применяется для поддержания
шлифовального круга в нормальном
положении по отношению к рабочей
поверхности; или
2) A-ось определяет конфигурацию
цилиндрического кулачка;
в) заточные и отрезные станки,
поставляемые как комплектные системы с
программным обеспечением, специально
спроектированные для производства
резцов или фрез;
г) станки для обработки коленчатых
валов или кулачковых осей;
д) плоскошлифовальные станки;
2.2.1.4. Станки для электроискровой обработки 845630000
(СЭО) без подачи проволоки, имеющие две
или более оси вращения, которые могут
быть одновременно скоординированы для
контурного управления;
2.2.1.5. Станки для обработки металлов, керамики 842430900;
или композиционных материалов: 845610000;
а) посредством: 845690000
1) водяных или других жидких струй,
включая струи с абразивными присадками;
2) электронного луча; или
3) лазерного луча; и
б) имеющие две или более оси вращения,
которые:
1) могут быть одновременно
скоординированы для управления по
контуру; и
2) имеют точность позиционирования
меньше (лучше) 0,003 град.;
2.2.1.6. Станки для сверления глубоких отверстий 8458;
или токарные станки, модифицированные 845921
для сверления глубоких отверстий,
обеспечивающие максимальную глубину
сверления отверстий 5000 мм или более,
и специально разработанные для них
компоненты
2.2.2. Станки без числового программного
управления для получения оптически
качественных поверхностей и специально
разработанные для них компоненты, такие
как:
2.2.2.1. Токарные станки, использующие одну 845899900
точку фрезерования и обладающие всеми
следующими характеристиками:
а) точность положения суппорта меньше
(лучше) 0,0005 мм на 300 мм
перемещения;
б) повторяемость двунаправленного
положения суппорта относительно оси
меньше (лучше) 0,00025 мм на 300 мм
перемещения;
в) биение и эксцентриситет шпинделя
меньше (лучше) 0,0004 мм полного
показания индикатора (ППИ);
г) угловая девиация движения суппорта
(рыскание, тангаж и вращение вокруг
продольной оси) меньше (лучше) двух
дуговых секунд ППИ на полном
перемещении; и
д) перпендикулярность суппорта меньше
(лучше) 0,001 мм на 300 мм перемещения
Техническое примечание.
Повторяемость двунаправленного
положения суппорта (R) относительно оси
- это максимальная величина
повторяемости расположения в любой
позиции вдоль или вокруг оси,
определяемая с использованием процедуры
и при условиях, перечисленных в части
2.11 международного стандарта ИСО
230/2: 1988;
2.2.2.2. Станки с летучей фрезой, обладающие 845969
двумя следующими характеристиками:
а) биение и эксцентриситет меньше
(лучше) 0,0004 мм ППИ; и
б) угловая девиация движения суппорта
(рыскание, тангаж и вращение вокруг
продольной оси) меньше (лучше) двух
дуговых секунд ППИ на полном
перемещении
2.2.3. Станки с числовым программным 846140710;
управлением или станки с ручным 846140790
управлением и специально разработанные
для них компоненты, оборудование для
контроля и приспособления, специально
разработанные для шевингования,
финишной обработки, шлифования или
хонингования закаленных (Rc = 40 или
более) прямозубых цилиндрических,
одно- или двухзаходных винтовых
шестерен с модулем более 1250 мм и с
лицевой шириной, равной 15% от модуля
или более, с качеством после финишной
обработки в соответствии с
международным стандартом ИСО 1328 по
классу 3
2.2.4. Горячие изостатические прессы, имеющие 846299
все следующие составляющие, и
специально разработанные для них
штампы, матрицы, компоненты,
приспособления и элементы управления:
а) камеры с контролируемыми тепловыми
условиями внутри закрытой полости и
внутренним диаметром полости 406 мм и
более; и
б) любую из следующих характеристик:
1) максимальное рабочее давление более
207 МПа;
2) контролируемые температурные
условия, превышающие 1773 K (1500 град.
C); или
3) оборудование для насыщения
углеводородом и удаления газообразных
продуктов разложения
Техническое примечание. Внутренний
размер камеры относится к камере, в
которой достигаются рабочие давление и
температура; в размер камеры не
включается размер зажимных
приспособлений. Указанный выше размер
будет минимальным из двух размеров -
внутреннего диаметра камеры высокого
давления или внутреннего диаметра
изолированной высокотемпературной
камеры - в зависимости от того, какая
из двух камер находится в другой
2.2.5. Оборудование, специально
спроектированное для оснащения,
реализации процесса и управления
процессом нанесения неорганического
покрытия, защитных слоев и
поверхностных модификаций, например
нижних слоев неэлектронными методами,
или процессами, представленными в
таблице и отмеченными в примечаниях
после пункта 2.5.3.4, а также
специально спроектированные средства
автоматизированного регулирования,
установки, манипуляции и компоненты
управления, включая:
2.2.5.1. Управляемое встроенной программой 845690000;
производственное оборудование для 942420100
химического осаждения паров (CVD) со
всеми следующими показателями:
а) процесс модифицирован для одного из
следующих методов:
1) пульсирующего CVD;
2) управляемого термического
разложения с ядерным дроблением (CNTD);
или
3) усиленного плазмой или с помощью
плазмы CVD; и
б) включает какой-либо из следующих
способов:
1) использующий высокий вакуум (равный
или менее 0,01 Па) для уплотнения
вращением; или
2) использующий средства контроля
толщины слоя покрытия на месте;
2.2.5.2. Управляемое встроенной программой 845610000
производственное оборудование ионной
имплантации с силой тока луча 5 мА или
более;
2.2.5.3. Управляемое встроенной программой 845610000
производственное оборудование для
физического осаждения паров электронным
лучом (EB-PVD), имеющее все следующие
составляющие:
а) системы электропитания с расчетной
мощностью свыше 80 кВт;
б) лазерную систему управления уровнем
в заливочной ванне, которая точно
регулирует скорость подачи исходного
вещества; и
в) управляемый компьютером регистратор
скорости, работающий на принципе
фотолюминесценции ионизированных атомов
в потоке пара, необходимый для
нормирования скорости осаждения
покрытия, содержащего два или более
элемента;
2.2.5.4. Управляемое встроенной программой 845690000
производственное оборудование
плазменного напыления, обладающее любой
из следующих характеристик:
а) работающее при уменьшающемся
давлении контролируемой атмосферы
(равной или менее 10 кПа, измеряемой
выше и внутри 300 мм выходного сечения
сопла плазменной горелки) в вакуумной
камере, способной обеспечивать снижение
давления до 0,01 Па, предшествующее
началу процесса напыления; или
б) имеющее в своем составе средства
контроля толщины слоя покрытия;
2.2.5.5. Управляемое встроенной программой 845690000
производственное оборудование
металлизации напылением, способное
обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв. мм
или более, с производительностью
напыления 15 мкм/ч или более;
2.2.5.6. Управляемое встроенной программой 851580900
производственное оборудование
катодно-дугового напыления, включающее
систему электромагнитов для управления
плотностью тока дуги на катоде;
2.2.5.7. Управляемое встроенной программой 845610000
производственное оборудование ионной
металлизации, позволяющее осуществлять
на месте любое из следующих измерений:
а) толщины слоя подложки и величины
производительности; или
б) оптических характеристик
Примечание. По пунктам 2.2.5.1,
2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не
контролируется оборудование химического
парового осаждения, катодно-дугового
напыления, капельного осаждения, ионной
металлизации или ионной имплантации,
специально разработанное для покрытия
режущего инструмента или для
механообработки
2.2.6. Системы или оборудование для измерения
или контроля размеров, такие как:
2.2.6.1. Управляемые ЭВМ, с числовым программным 903180310
управлением, управляемые встроенной
программой машины контроля размеров,
имеющие погрешность измерения длины по
трем осям, равную или менее (лучше)
(1,7 + L/1000) мкм (L - длина,
измеряемая в миллиметрах), тестируемую
в соответствии с международным
стандартом ИСО 10360-2;
2.2.6.2. Измерительные инструменты для линейных
или угловых перемещений, такие как:
2.2.6.2.1. Измерительные инструменты для линейных 903140000
перемещений, имеющие любую из следующих
составляющих:
а) измерительные системы бесконтактного
типа с разрешающей способностью, равной
или менее (лучше) 0,2 мкм, при
диапазоне измерений до 0,2 мм;
б) системы с линейным регулируемым
дифференциальным преобразователем
напряжения с двумя следующими
характеристиками:
1) линейностью, равной или меньше
(лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до
5 мм; и
2) отклонением, равным или меньшим
(лучшим) 0,1% в день, при стандартных
условиях с колебанием окружающей
температуры +/- 1 К; или
в) измерительные системы, имеющие все
следующие составляющие:
1) содержащие лазер; и
2) эксплуатируемые непрерывно по
крайней мере 12 часов при колебаниях
окружающей температуры +/- 1 К при
стандартных температуре и давлении,
имеющие все следующие характеристики:
разрешение на их полной шкале
составляет 0,1 мкм или меньше (лучше);
и
погрешность измерения равна или меньше
(лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - длина,
измеряемая в миллиметрах)
Примечание. По пункту 2.2.6.2.1 не
контролируются измерительные
интерферометрические системы без
обратной связи с замкнутым или открытым
контуром, содержащие лазер для
измерения погрешностей перемещения
подвижных частей станков, средств
контроля размеров или подобного
оборудования;
2.2.6.2.2. Угловые измерительные приборы с 903140000;
отклонением углового положения, равным 903180310;
или меньшим (лучшим) 0,00025 град. 903180910
Примечание. По пункту 2.2.6.2.2 не
контролируются оптические приборы,
такие как автоколлиматоры, использующие
коллимированный свет для фиксации
углового смещения зеркала
2.2.6.3. Оборудование для измерения неровностей 903140000
поверхности с применением оптического
рассеяния как функции угла, с
чувствительностью 0,5 нм или меньше
(лучше)
Примечания. 1. Станки, которые
могут быть использованы в качестве
средств измерения, подлежат контролю,
если их параметры соответствуют или
превосходят критерии, установленные для
функций станков или измерительных
приборов
2. Системы, указанные в пункте 2.2.6,
подлежат контролю, если они по своим
параметрам превышают подлежащий
контролю уровень где-либо в их рабочем
диапазоне
2.2.7. Нижеперечисленные роботы и специально 847989500;
спроектированные контроллеры и рабочие 853710100;
органы для них: 853710910;
а) способные в реальном масштабе 853710990
времени полно отображать процесс или
объект в трех измерениях с
генерированием или модификацией
программ или с генерированием или
модификацией цифровых программируемых
данных
Примечание. Ограничения по
указанному процессу или объекту не
включают аппроксимацию третьего
измерения через заданный угол или
интерпретацию через ограниченную
пределами шкалу для восприятия глубины
или текстуры модификации заданий
(2 1/2 D);
б) специально разработанные в
соответствии с национальными
стандартами безопасности,
приспособленные к условиям изготовления
взрывного военного снаряжения; или
в) специально спроектированные или
оцениваемые как радиационно стойкие,
выдерживающие больше 5 x 10E5 рад
(кремний) без операционной деградации;
г) специально предназначенные для
операций на высотах, превышающих
30000 м
2.2.8. Узлы, блоки и вставки, специально
разработанные для станков или
оборудования, контролируемых по пункту
2.2.6 или 2.2.7, такие как:
2.2.8.1. Блоки оценки линейного положения с 8466
обратной связью (например, приборы
индуктивного типа, калиброванные шкалы,
инфракрасные системы или лазерные
системы), имеющие полную точность
меньше (лучше) (800 + (600 x L x
10E-3)) нм (L - эффективная длина в
миллиметрах)
Примечание. Для лазерных систем
применяется также примечание к пункту
2.2.6.2.1;
2.2.8.2. Блоки оценки положения вращения с 8466
обратной связью (например, приборы
индуктивного типа, калиброванные шкалы,
инфракрасные системы или лазерные
системы), имеющие точность меньше
(лучше) 0,00025 град.
Примечание. Для лазерных систем
применяется также примечание к пункту
2.2.6.2.1;
2.2.8.3. Составные вращающиеся столы или 8466
наклоняющиеся шпиндели, применение
которых в соответствии со спецификацией
изготовителя может модифицировать
станки до уровня, указанного в пункте
2.2, или выше
2.2.9. Обкатные вальцовочные и гибочные 846229100;
станки, которые в соответствии с 846390100;
технической спецификацией изготовителя 846390900
могут быть оборудованы блоками
числового программного управления или
компьютерного управления и которые
имеют все следующие характеристики:
а) с двумя или более контролируемыми
осями, которые могут одновременно и
согласованно координироваться для
контурного управления; и
б) с вращательной силой более 60 кН
Техническое примечание. Станки,
объединяющие функции обкатных
вальцовочных и гибочных станков,
рассматриваются для целей пункта 2.2.9
как относящиеся к обкатным вальцовочным
станкам
2.3. Материалы - нет
2.4. Программное обеспечение
2.4.1. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для разработки, производства или
применения оборудования,
контролируемого по пунктам 2.1 или 2.2;
2.4.2. Программное обеспечение для электронных
устройств, в том числе встроенное,
дающее возможность таким устройствам
или системам функционировать как блок
ЧПУ, способное выполнять любую из
следующих операций:
2.4.2.1. Координировать одновременно более
четырех осей для контурного управления;
или
2.4.2.2. Осуществлять в реальном масштабе
времени обработку данных для изменения
траектории перемещения инструмента,
скорости подачи и положения шпинделя в
течение операции, выполняемой станком,
в любом из следующих видов:
а) автоматического вычисления и
модификации части программных данных
для функционирования по двум или более
осям с помощью измерения циклов и
действия с базой данных; или
б) адаптивного управления с более чем
одной физической переменной, измеренной
и обработанной с помощью компьютерной
модели (стратегия) для изменения одной
или более машинных команд для
оптимизации процесса
Примечание. По пункту 2.4.2 не
контролируется программное обеспечение,
специально разработанное или
модифицированное для работы станков, не
контролируемых по пунктам Категории 2
2.5. Технология
2.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по пунктам
2.1, 2.2 или 2.4
2.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по
пунктам 2.1 или 2.2
2.5.3. Другие технологии, такие как:
2.5.3.1. Технологии для разработки интерактивной
графики как интегрирующей части блоков
числового программного управления для
подготовки или модификации элементов
программ;
2.5.3.2. Нижеперечисленные технологии
производственных процессов
металлообработки:
2.5.3.2.1. Технологии проектирования инструмента,
пресс-форм или зажимных приспособлений,
специально спроектированных для любого
из следующих процессов:
а) сверхпластического формования;
б) диффузионного сваривания; или
в) гидравлического прессования прямого
действия;
2.5.3.2.2. Технические данные, включающие
параметры или методы реализации
процесса, перечисленные ниже и
используемые для управления:
а) сверхпластическим формованием
алюминиевых, титановых сплавов или
суперсплавов:
1) данные о подготовке поверхности;
2) данные о степени деформации;
3) температура;
4) давление;
б) диффузионным свариванием титановых
сплавов или суперсплавов:
1) данные о подготовке поверхности;
2) температура;
3) давление;
в) гидравлическим прессованием прямого
действия алюминиевых или титановых
сплавов:
1) давление;
2) время цикла;
г) горячей изостатической модификацией
титановых, алюминиевых сплавов или
суперсплавов:
1) температура;
2) давление;
3) время цикла
2.5.3.3. Технологии разработки или производства
гидравлических вытяжных формовочных
машин и соответствующих матриц для
изготовления конструкций корпусов
летательных аппаратов;
2.5.3.4. Технологии для разработки генераторов
машинных команд (то есть элементов
программ) из проектных данных,
находящихся внутри блоков числового
программного управления;
2.5.3.5. Технологии для разработки
интегрирующего программного обеспечения
для обобщения экспертных систем,
повышающих в заводских условиях
операционные возможности блоков
числового программного управления;
2.5.3.6. Технологии для применения в
неорганических чисто поверхностных
покрытиях или неорганических покрытиях
с модификацией поверхности изделия,
отмеченных в графе "Результирующее
покрытие" нижеследующей таблицы;
неэлектронных слоевых покрытий
(субстратов), отмеченных в графе
"Подложки" нижеследующей таблицы;
процессов, отмеченных в графе
"Наименование процесса нанесения
покрытия" нижеследующей таблицы и
определенных техническим примечанием
Таблица к пункту 2.5.3.6.
Технические приемы осаждения покрытий
-----------------+--------------------+---------------------------
Наименование | Подложки | Результирующее
процесса | | покрытие
нанесения | |
покрытия | |
-----------------+--------------------+---------------------------
1. Химическое |суперсплавы | алюминиды для внутренних
осаждение | | каналов
паров | |
|керамика и стекла с | силициды, карбиды, слои
|малым коэффициентом | диэлектриков (15)
|расширения (14) <*> |
--------------------------------
<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий
указанному в скобках.
|углерод-углерод, | силициды, карбиды,
|керамика и | тугоплавкие металлы, смеси
|композиционные | перечисленных выше
|материалы с | материалов (4), слои
|металлической | диэлектриков (15),
|матрицей | алюминиды, сплавы
| | алюминидов (2)
| |
|цементированный | карбиды, вольфрам, смеси
|карбид | перечисленных выше
|вольфрама (16), | материалов (4), слои
|карбид кремния | диэлектриков (15)
| |
|молибден и его | слои диэлектриков (15)
|сплавы |
| |
|бериллий и его | слои диэлектриков (15)
|сплавы |
| |
|материалы окон | слои диэлектриков (15)
|датчиков (9) |
| |
2. Физическое | |
осаждение | |
паров | |
термовыпа - | |
риванием | |
| |
2.1. Физическое |суперсплавы | сплавы силицидов, сплавы
осаждение | | алюминидов (2), MCrAlX
паров | | (5), модифицированные виды
электронным | | циркония (12), силициды,
лучом | | алюминиды, смеси
| | перечисленных выше
| | материалов (4)
| |
|керамика и стекла с | слои диэлектриков (15)
|малым коэффициентом |
|расширения (14) |
| |
|коррозиестойкие | MCrAlX (5),
|стали (7) | модифицированные виды
| | циркония (12), смеси
| | перечисленных выше
| | материалов (4)
| |
|углерод-углерод, | силициды, карбиды,
|керамика и | тугоплавкие металлы, смеси
|композиционные | перечисленных выше
|материалы с | материалов (4), слои
|металлической | диэлектриков (15)
|матрицей |
| |
|цементированный | карбиды, вольфрам, смеси
|карбид | перечисленных выше
|вольфрама (16), | материалов (4), слои
|карбид кремния | диэлектриков (15)
| |
|молибден и его | слои диэлектриков (15)
|сплавы |
| |
|бериллий и его | слои диэлектриков (15),
|сплавы | бориды
| |
|материалы окон | слои диэлектриков (15)
|датчиков (9) |
| |
|титановые сплавы | бориды, нитриды
|(13) |
| |
2.2. Физическое |керамика и стекла с | слои диэлектриков (15)
осаждение |малым коэффициентом |
паров с |расширения (14) |
ионизацией | |
посредством |углерод-углерод, | слои диэлектриков (15)
резистивного|керамика и |
нагрева |композиционные |
(ионное |материалы с |
гальвани- |металлической |
ческое |матрицей |
покрытие) | |
|цементированный | слои диэлектриков (15)
|карбид |
|вольфрама (16), |
|карбид кремния |
| |
|молибден и его | слои диэлектриков (15)
|сплавы |
| |
|бериллий и его | слои диэлектриков (15)
|сплавы |
| |
|материалы окон | слои диэлектриков (15)
|датчиков (9) |
| |
2.3. Физическое |керамика и стекла с | силициды, слои
осаждение |малым коэффициентом | диэлектриков (15)
паров: |расширения (14) |
выпаривание | |
лазером |углерод-углерод, | слои диэлектриков (15)
|керамика и |
|композиционные |
|материалы с |
|металлической |
|матрицей |
| |
|цементированный | слои диэлектриков (15)
|карбид |
|вольфрама (16), |
|карбид кремния |
| |
|молибден и его | слои диэлектриков (15)
|сплавы |
| |
|бериллий и его | слои диэлектриков (15)
|сплавы |
| |
|материалы окон | слои диэлектриков (15),
|датчиков (9) | алмазоподобный углерод
| |
2.4. Физическое |суперсплавы | сплавы силицидов, сплавы
осаждение | | алюминидов (2), MCrAlX (5)
паров: | |
катодный |полимеры (11) и | бориды, карбиды, нитриды
дуговой |композиционные |
разряд |материалы с |
|органической |
|матрицей |
| |
3. Цементация |углерод-углерод, | силициды, карбиды, смеси
(10) |керамика и | перечисленных выше
|композиционные | материалов (4)
|материалы с |
|металлической |
|матрицей |
| |
|сплавы титана (13) | силициды, алюминиды,
| | сплавы алюминидов (2)
| |
|тугоплавкие металлы | силициды, оксиды
|и сплавы (8) |
| |
4. Плазменное |суперсплавы | MCrAlX (5),
напыление | | модифицированные виды
| | циркония (12), смеси
| | перечисленных выше
| | материалов (4), эрозионно
| | стойкий никель-графит,
| | эрозионно стойкий никель -
| | хром-алюминий-бентонит,
| | эрозионно стойкий
| | алюминий-кремний-полиэфир,
| | сплавы алюминидов (2)
| |
|алюминиевые | MCrAlX (5),
|сплавы (6) | модифицированные виды
| | циркония (12), силициды,
| | смеси перечисленных выше
| | материалов (4)
| |
|тугоплавкие металлы | алюминиды, силициды,
|и сплавы (8) | карбиды
| |
|коррозиестойкие | модифицированные виды
|стали (7) | циркония (12), смеси
| | перечисленных выше
| | материалов (4)
| |
|титановые | карбиды, алюминиды,
|сплавы (13) | силициды, сплавы
| | алюминидов (2), эрозионно
| | стойкий никель-графит,
| | эрозионно стойкий никель -
| | хром-алюминий-бентонит,
| | эрозионно стойкий
| | алюминий-кремний-полиэфир
| |
5. Осаждение |тугоплавкие металлы | легкоплавкие силициды,
суспензии |и сплавы (8) | легкоплавкие алюминиды
(шлама) | | (кроме материалов для
| | теплостойких элементов)
| |
|углерод-углерод, | силициды, карбиды, смеси
|керамика и | перечисленных выше
|композиционные | материалов (4)
|материалы с |
|металлической |
|матрицей |
| |
6. Металлизация |суперсплавы | сплавы силицидов, сплавы
распылением | | алюминидов (2),
| | благородные металлы,
| | модифицированные
| | алюминидами (3), MCrAlX
| | (5), модифицированные виды
| | циркония (12), платина,
| | смеси перечисленных выше
| | материалов (4)
| |
|керамика и стекла с | силициды, платина, смеси
|малым коэффициентом | перечисленных выше
|расширения (14) | материалов (4), слои
| | диэлектриков (15)
| |
|титановые | бориды, нитриды, оксиды,
|сплавы (13) | силициды, алюминиды,
| | сплавы алюминидов (2),
| | карбиды
| |
|углерод-углерод, | силициды, карбиды,
|керамика и | тугоплавкие металлы, смеси
|композиционные | перечисленных выше
|материалы с | материалов (4), слои
|металлической | диэлектриков (15)
|матрицей |
| |
|цементированный | карбиды, вольфрам, смеси
|карбид | перечисленных выше
|вольфрама (16), | материалов (4), слои
|карбид кремния | диэлектриков (15)
| |
|молибден и его | слои диэлектриков (15)
|сплавы |
| |
|бериллий и его | бориды,
|сплавы | слои диэлектриков (15)
| |
|материалы окон | слои диэлектриков (15)
|датчиков (9) |
| |
|тугоплавкие металлы | алюминиды, силициды,
|и сплавы (8) | оксиды, карбиды
| |
7. Ионная |высокотемпературные | добавки хрома, тантала или
имплантация |стойкие стали | ниобия (колумбия в США)
| |
|титановые | бориды, нитриды
|сплавы (13) |
| |
|бериллий и его | бориды
|сплавы |
| |
|цементированный | карбиды, нитриды
|карбид |
|вольфрама (16) |
Примечания к таблице. 1. Процесс нанесения покрытия включает как
нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление существующих
покрытий.
2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или
многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или
элементы осаждается покрытие до или в течение процесса
алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с
помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное
использование одношагового процесса пакетной цементации для получения
сплавов алюминидов.
3. Покрытие благородными металлами, модифицированными
алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором
благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо
другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции,
выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые
материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов
нанесения покрытий, изложенных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M
эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X
эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или
другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в
различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома,
менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или
б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 -
12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; или
в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 -
12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным
значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при
температуре 293 K (20 град. C).
7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям,
удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа
и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300
различным показателям, или требованиям соответствующих национальных
стандартов для сталей.
8. К тугоплавким металлам относятся следующие металлы и их
сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия),
кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия,
некоторые галогениды металлов (иодистый калий, фтористый калий), а
окон датчиков диаметром более 40 мм - бромистый таллий и
хлоробромистый таллий.
10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых
профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.
11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид,
поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с
внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких как оксиды
кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в
соответствии с условиями стабильности определенных
кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из
циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом
смешения или расплава, не контролируются.
13. Титановые сплавы определяются как аэрокосмические сплавы с
предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более,
измеренным при 293 K (20 град. C).
14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как
стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10E-7 КE-1 или
менее, измеренный при 293 K (20 град. C).
15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным
изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства
конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что
используется для отражения, передачи или поглощения различных
волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из
четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик -
металл.
16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы,
применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида
вольфрама / (кобальт-никель), карбида титана / (кобальт-никель),
карбид хрома / (никель-хром) и карбид хрома / никель.
Технические примечания к таблице. Процессы, представленные в
графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются
следующим образом:
1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой
поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик
или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы
разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего
на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия
для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за
счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера.
Особые примечания: а) химическое осаждение паров включает
следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым
потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое
термическое нанесение с ядерным дроблением, с применением мощного
потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы;
б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких
составляющих;
в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в
беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и
параметрами, такими как пакетная цементация, кроме случая, когда на
изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме
с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии
используется для превращения в пар наносимого материала. В результате
процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части
поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе
осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами
сложного состава покрытия. Использование ионного или электронного
излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в
этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса
физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного
нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе
процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть
реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с
ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем:
а) при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и
испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный
луч;
б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве
источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный
(однородный) поток паров материала покрытия, используется
электрическое сопротивление;
в) при выпаривании лазером для нагрева материала, который
формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный
луч;
г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве
материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд
дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным
пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод.
Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к
образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и
располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера
может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением
изоляции используются изделия с регулированием их положения.
Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится
к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным
положением изделия.
3. Ионная имплантация - специальная модификация генерального
процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для
ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение
(заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из
плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в
камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в
процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины
покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического
осаждения паров термовыпариванием.
4. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на
поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда
изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет),
которая состоит из:
а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия
(обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия)
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры),
которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C)
на время, достаточное для нанесения покрытия.
5. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего
покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой
образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из
материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где
формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление
может быть основано на осуществляемом под водой напылении плазмой
низкого давления или высокоскоростной плазмой.
Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже
атмосферного;
б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе
сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при
температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.
6. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с
модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия,
когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим,
суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством
напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной
сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств
покрытия.
7. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества
движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по
направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая
энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени
требуемого покрытия.
Особые примечания: а) в таблице приведены сведения только о
триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением,
которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и
скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления,
используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов
покрытий;
б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть
использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.
8. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с
модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав)
ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала,
и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной
имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация
самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или
металлизации распылением.
Техническая терминология, используемая
в таблице технических приемов осаждения покрытий:
Подразумевается, что следующая техническая информация,
относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий,
используется при необходимости
1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной
обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
1.1.1. Состав раствора для ванны:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов
коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек
1.1.2. Время обработки в ванне;
1.1.3. Температура в ванне;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения
величины чистящей дозы;
1.3. Параметры циклов горячей обработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Атмосферное давление
1.3.2. Температура для горячей обработки;
1.3.3. Продолжительность горячей обработки
1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:
1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:
1.4.1.1. Состав песка;
1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;
1.4.1.3. Скорость подачи песка
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности
1.5. Технические параметры защитного покрытия:
1.5.1. Материал защитного покрытия;
1.5.2. Размещение защитного покрытия
2. Терминология, используемая при определении технологических
параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных
в таблице:
2.1. Атмосферные параметры:
2.1.1. Состав атмосферы;
2.1.2. Атмосферное давление
2.2. Временные параметры;
2.3. Температурные параметры;
2.4. Параметры слоя;
2.5. Коэффициент параметров преломления
3. Терминология, используемая в технологиях для обработки
покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым
песчаником:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость подачи дроби
3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;
3.3. Параметры цикла горячей обработки:
3.3.1. Атмосферные параметры:
3.3.1.1. Состав атмосферы;
3.3.1.2. Атмосферное давление
3.3.2. Температурно-временные циклы
3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для
последующего нанесения покрытия на подложку
4. Терминология, используемая в технологиях для определения
технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек,
указанных в таблице:
4.1. Критерии статического выборочного контроля;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Усиления;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности
4.3. Критерии для оценки оптических свойств:
4.3.1. Отражательная способность;
4.3.2. Прозрачность;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах,
связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения
поверхности, указанными в таблице:
5.1. Для химического осаждения паров:
5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;
5.1.2. Состав несущего газа;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа
5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав химически активного газа;
5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого
материала;
5.2.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.2.7.6. Ориентация подложки
5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. Состав обмазки и формулировка;
5.3.2. Состав несущего газа;
5.3.3. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.5.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки
5.5. Для металлизации распылением:
5.5.1. Состав и структура мишени;
5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
5.5.3. Состав химически активного газа;
5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;
5.5.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Изменение дозировки
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.6.4. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.7. Для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.7.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость
испарения;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры наклона подложки
-------------+---------------------------------------+------------
N | Наименование |Код товарной
позиции | |номенклатуры
| |внешнеэко -
| |номической
| |деятельности
-------------+---------------------------------------+------------
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания. 1. Контрольный статус
оборудования и компонентов, указанных в
пункте 3.1, других, нежели те, которые
указаны в пунктах 3.1.1.1.3 -
3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12,
которые специально разработаны или
имеют те же самые функциональные
характеристики, как и другое
оборудование, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 -
3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12,
программы которых не могут быть
изменены, или разработанных для
выполнения конкретных функций для
другого оборудования, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
Особое примечание. В тех случаях,
когда изготовитель или заявитель не
может определить контрольный статус
другого оборудования, этот статус
определяется контрольным статусом
интегральных схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте
3.1.1.1.12; если интегральная схема
является кремниевой микросхемой
микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанных в пункте
3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда
8 бит или менее, то ее контрольный
статус должен определяться в
соответствии с пунктом 3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты, такие, как:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
Примечания. 1. Контрольный статус
готовых пластин или полуфабрикатов для
их изготовления, на которых
воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам, указанным в
пункте 3.1.1.1
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
твердотельные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая
интегральные схемы типа "кремний на
сапфире";
оптические интегральные схемы
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 854211;
или определяемые как радиационно 854219
стойкие, чтобы выдержать следующее:
а) общую дозу 5 x 10E3 рад (кремний)
или выше; или
б) предел мощности дозы 5 x 10E6 рад
(кремний)/с или выше;
3.1.1.1.2. Интегральные схемы электрически 854211510;
программируемых постоянных запоминающих 854211520;
устройств (ЭППЗУ), программируемые с 854211530;
ультрафиолетовым стиранием, и 854211550;
статических запоминающих устройств с 854211630;
произвольной выборкой (СЗУПВ), а также 854211650;
интегральные схемы, указанные в пунктах 854211660;
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте 854211720
3.1.1.1.12, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 K
(+ 125 град. C);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 К
(-55 град. C); или
в) работоспособные за пределами
диапазона температур окружающей среды
от 218 K (-55 град. C) до 398 K
(+125 град. C)
Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не
распространяется на интегральные схемы
для гражданских автомобилей и
железнодорожных локомотивов;
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы и
микросхемы микроконтроллеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
Примечание. Пункт 3.1.1.1.3
включает процессоры цифровых сигналов,
цифровые матричные процессоры и
цифровые сопроцессоры
3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую 854211870
производительность (СТП) 260 млн.
теоретических операций в секунду
(Мтопс) или более и
арифметико-логическое устройство с
длиной выборки 32 бита или более;
3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 8542
соединениях и работающие на тактовой
частоте, превышающей 40 МГц; или
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или команд, 854211760
или порт последовательной связи для
внешнего межсоединения в параллельный
процессор со скоростью передачи,
превышающей 2,5 Мбит/с
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 854211550;
изготовленные на полупроводниковых 854211720;
соединениях; 854211760
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для аналого-цифровых 854211830 -
и цифро-аналоговых преобразователей, 854211870;
такие, как: 854211990;
а) аналого-цифровые преобразователи, 854220100;
имеющие любую из следующих 854220900
характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит или
более, но меньше 12 бит с общим
временем преобразования до максимальной
разрешающей способности менее 10 нс;
2) разрешающую способность 12 бит с
общим временем преобразования до
максимальной разрешающей способности
менее 200 нс; или
3) разрешающую способность более 12 бит
с общим временем преобразования до
максимальной разрешающей способности
менее 2 мкс;
б) цифро-аналоговые преобразователи с
разрешающей способностью 12 бит и более
и временем выхода на установившийся
режим менее 10 нс;
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 854219
интегральные схемы для обработки
сигналов, имеющие одновременно все
перечисленные составляющие:
а) один внутренний лазерный диод или
более;
б) один внутренний светочувствительный
элемент или более; и
в) оптические волноводы;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем матрицы 854211300
логических ключей на полевых
транзисторах, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 30000 (в пересчете на
двухвходовые); или
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,4 нс;
3.1.1.1.8. Программируемые пользователем 854211910
логические матрицы полевых
транзисторов, имеющие хотя бы одну из
следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 30000 (в пересчете на
двухвходовые); или
б) частоту переключения, превышающую
133 МГц;
3.1.1.1.9. Интегральные схемы для нейронных сетей; 854219
3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, у которых 854219
функция неизвестна либо производителю
неизвестно, распространяется ли
контрольный статус на аппаратуру, в
которой будут использоваться данные
интегральные схемы, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) свыше 208 выводов;
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,35 нс; или
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, 854211990
отличающиеся от указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12,
созданные на основе какого-либо
полупроводникового соединения и имеющие
любую из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 300 (в пересчете на
двухвходовые); или
б) частоту переключения, превышающую
1,2 ГГц;
3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования 854211810;
Фурье, имеющие любую из следующих 854211830
характеристик:
а) расчетное время выполнения 854211850;
комплексного 1024-точечного быстрого 854211870
преобразования Фурье менее 1 мс;
б) расчетное время выполнения
комплексного N-точечного сложного
быстрого преобразования Фурье,
отличного от 1024-точечного, менее, чем
Nlog2N/10240 мс, где N - число точек;
или
в) производительность алгоритма
"бабочка" более 5,12 МГц
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона, такие, как:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные
лампы и катоды:
Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не
контролируются лампы, разработанные или
спроектированные для работы в
стандартном диапазоне частот
гражданских телекоммуникаций, с
частотами, не превышающими 31 ГГц
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 854049000
непрерывного действия, такие, как:
а) работающие на частотах, превышающих
31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со
временем от включения до выхода лампы
на предельную радиочастотную мощность
менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами
или их модификации с мгновенной шириной
полосы частот более 7% или пиком
мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их модификации,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) мгновенную ширину полосы более одной
октавы и произведение средней мощности
(выраженной в кВт) на рабочую частоту
(выраженную в ГГц) более 0,5;
2) мгновенную ширину полосы в одну
октаву или менее и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на рабочую
частоту (выраженную в ГГц) более 1; или
3) годные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. СВЧ-приборы - усилители магнетронного 854041000
типа с коэффициентом усиления более
17 дБ;
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные 854049000
для электронных ламп, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) время выхода на уровень эмиссии
менее 3 с; или
б) плотность тока при непрерывной
эмиссии и штатных условиях
функционирования, превышающую
5 А/кв. см
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы или 854049000
модули, содержащие твердотельные
интегральные схемы, работающие на
частотах свыше 3 ГГц
Примечание. По пункту 3.1.1.2.2 не
контролируются схемы или модули
оборудования, спроектированного для
работы в стандартном диапазоне частот
гражданской телекоммуникации, не
превышающем 31 ГГц;
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 854049000
предназначенные для работы на частотах,
превышающих 31 ГГц;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители, 854049000
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работающие на частотах свыше
10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину
полосы частот более пол-октавы;
б) работающие на частотах свыше 31 ГГц;
3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или магнитной 854049000
настройкой, содержащие более пяти
настраиваемых резонаторов,
обеспечивающих настройку в полосе
частот с соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin)
менее чем за 10 мкс, имеющие любую из
следующих составляющих:
а) полосовые фильтры, имеющие полосу
пропускания частоты более 0,5% от
резонансной частоты; или
б) заградительные фильтры, имеющие
полосу подавления частоты менее 0,5%
от резонансной частоты;
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 854049000
работать на частотах, превышающих
31 ГГц;
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 854049000
разработанные для расширения частотного
диапазона аппаратуры, указанной в
пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6;
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности СВЧ, 854081000
содержащие лампы, контролируемые по
пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие
характеристики:
а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной мощности,
превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб. см
Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не
контролируется аппаратура,
разработанная или пригодная для работы
на стандартных частотах гражданских
телекоммуникаций
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для них
компоненты, такие, как:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 854160000
волнах и на акустических волнах в
тонкой подложке (т.е. приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале), имеющие
любую из следующих характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или
б) несущую частоту более 1 ГГц, но не
превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ;
2) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
3) ширину полосы частот более 250 МГц;
или
4) задержку рассеяния, превышающую
10 мкс; или
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
1) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
2) задержку рассеяния, превышающую
10 мкс; или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ и ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах 854160000
(т.е. приборы для обработки сигналов,
использующие упругие волны в
материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов на
частотах свыше 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 854160000
сигналов, использующие взаимодействие
между акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет непосредственно
обрабатывать сигналы или изображения,
включая анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие 854280000
компоненты, изготовленные из
сверхпроводящих материалов, специально
спроектированные для работы при
температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
а) электромагнитное усиление:
1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц,
с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или
2) на частотах свыше 31 ГГц;
б) токовые переключатели для цифровых
схем, использующие сверхпроводящие
вентили, у которых произведение времени
задержки на вентиль (в секундах) на
рассеяние мощности на вентиль (в
ваттах) ниже 10E-14 Дж; или
в) селекцию частоты на всех частотах с
использованием резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на фотоэлектрических 850619900
элементах, такие как:
а) первичные элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 480 Вт. ч/кг и
пригодные по техническим условиям для
работы в диапазоне температур от 243 K
(-30 град. C) и ниже до 343 K
(70 град. C) и выше
Техническое примечание. Плотность
энергии определяется путем умножения
средней мощности в ваттах (произведение
среднего напряжения в вольтах на
средний ток в амперах) на длительность
цикла разряда в часах, при котором
напряжение на разомкнутых клеммах
падает до 75% от номинала, и деления
полученного произведения на общую массу
элемента (или батареи) в кг;
б) подзаряжаемые элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 150 Вт. ч/кг
после 75 циклов заряда - разряда при
токе разряда, равном С/5 ч (С -
номинальная емкость в ампер-часах), при
работе в диапазоне температур от 253 K
(-20 град. C) и ниже до 333 K
(60 град. C) и выше;
в) батареи, по техническим условиям
годные для применения в космосе, и
радиационно стойкие батареи на
фотоэлектрических элементах с удельной
мощностью свыше 160 Вт/кв. м при
рабочей температуре 301 K (28 град. C)
и вольфрамовом источнике, нагретом до
2800 K (2527 град. C) и создающем
энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м
Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не
контролируются батареи объемом
27 куб. см и меньше (например,
стандартные угольные элементы или
батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие, как: 850619900;
850780900
а) накопители с частотой повторения
менее 10 Гц (одноразовые накопители),
имеющие все следующие характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения
10 Гц и более (многоразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не менее
5 кВ;
2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
4) количество циклов заряда - разряда
не менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 850519900
соленоиды, специально спроектированные
на полный заряд или разряд менее чем за
одну секунду, имеющие все
нижеперечисленные характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию свыше
8 Т или суммарную плотность тока в
обмотке больше 300 А/кв. мм
Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не
контролируются сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды,
специально спроектированные для
медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи абсолютного 903180310
углового положения вала в код, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от полного
диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +/- 2,5 угл. с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально
разработанная измерительная магнитная
лента для нее, такие, как:
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 852039900
аналоговой аппаратуры, включая
аппаратуру с возможностью записи
цифровых сигналов (например,
использующие модуль цифровой записи
высокой плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на
электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на
электронный канал или дорожку, при
числе дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по
методикам соответствующих руководящих
материалов Межведомственного совета по
радиопромышленности (IRIG) или
Ассоциации электронной промышленности
(EIA), менее +/- 0,1 мкс
Примечание. Аналоговые
видеомагнитофоны, специально
разработанные для гражданского
применения, не рассматриваются как
записывающая аппаратура;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие 852110;
максимальную пропускную способность 852190000
цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с;
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не
контролируются цифровые
видеомагнитофоны, специально
спроектированные для телевизионной
записи, использующие стандартный формат
сигнала или рекомендуемый Международным
консультативным комитетом по радиосвязи
(МККР) либо Международной
электротехнической комиссией (МЭК) для
гражданского телевидения;
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для 852110
цифровой аппаратуры, использующие
принципы спирального сканирования или
принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную способность
цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;
или
б) годные для применения в космосе
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не
контролируются аналоговые накопители на
магнитной ленте, оснащенные
электронными блоками для преобразования
в цифровую запись высокой плотности и
предназначенные для записи только
цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 852190000
способностью цифрового интерфейса свыше
175 Мбит/с, спроектированная в целях
переделки цифровых видеомагнитофонов
для использования их как устройств
записи данных цифровой аппаратуры;
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 854380900
цифровую форму и записи переходных
процессов, имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в цифровую
форму не менее 200 млн. проб в секунду
и разрешение 10 или более проб в
секунду; и
б) пропускную способность не менее
2 Гбит/с
Техническое примечание. Для таких
приборов с архитектурой на параллельной
шине пропускная способность есть
произведение наибольшего объема слов на
количество бит в слове. Пропускная
способность - это наивысшая скорость
передачи данных аппаратуры, с которой
информация поступает в запоминающее
устройство без потерь при сохранении
скорости выборки и аналого-цифрового
преобразования
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 854380900
частоты, имеющие время переключения с
одной заданной частоты на другую менее
1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 854380900
а) способные анализировать частоты,
превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы сигналов с
полосой пропускания в реальном времени,
превышающей 25,6 кГц
Примечание. По подпункту "б" пункта
3.1.2.3 не контролируются динамические
анализаторы сигналов, использующие
только фильтры с полосой пропускания
фиксированных долей
Техническое примечание. Фильтры с
полосой пропускания фиксированных долей
известны также как октавные или
дробнооктавные фильтры;
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных 854320000
частот, формирующие выходные частоты с
управлением по параметрам точности,
кратковременной и долговременной
стабильности на основе или с помощью
внутренней эталонной частоты, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую частоту
более 31 ГГц;
б) время переключения с одной заданной
частоты на другую менее 1 мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в
единицах дБ x с/Гц, где F - смещение
рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в которой
выходная частота создается либо путем
сложения или вычитания частот с двух
или более кварцевых генераторов, либо
путем сложения или вычитания с
последующим умножением результирующей
частоты;
3.1.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной 854380900
рабочей частотой, превышающей 40 ГГц;
3.1.2.6. Микроволновые приемники - тестеры, 852790990
имеющие все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую 854320000
из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 10E-11 в
месяц; или
б) годные для применения в космосе
Примечание. По подпункту "а" пункта
3.1.2.7 не контролируются рубидиевые
стандарты, не предназначенные для
космического применения
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых приборов
или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка для
них:
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной
программой, предназначенные для
эпитаксиального выращивания, такие,
как:
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать 841989900
толщину слоя с отклонением не более
+/- 2,5% на протяжении 75 мм или более;
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров 841989900
металлорганических соединений,
специально разработанные для
выращивания кристаллов сложных
полупроводников с помощью химических
реакций между материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4;
3.2.1.1.3. Молекулярно-лучевые установки 841780100
эпитаксиального выращивания,
использующие газовые источники
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной 845610000
программой, специально предназначенные
для ионной имплантации, имеющие любую
из следующих характеристик:
а) ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ;
б) специально спроектированные и
оптимизированные для работы с
ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ;
в) обладающие способностью
непосредственной записи; или
г) пригодные для высокоэнергетической
имплантации кислорода в нагретую
подложку полупроводникового материала;
3.2.1.3. Установки сухого травления анизотропной 845690000
плазмой, управляемые встроенной
программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по пункту
3.2.1.5, и имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс;
3.2.1.4. Установки химического парофазового 845690000
осаждения и плазменной стимуляции,
управляемые встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по пункту
3.2.1.5, имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс;
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 845610000;
автоматически загружаемые многокамерные 845690000
системы с центральной загрузкой
пластин, имеющие все следующие
составляющие:
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки
пластин, к которым присоединяется более
двух единиц оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для интегрированной
системы последовательной
многопозиционной обработки пластин в
вакуумной среде
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робототехнические системы загрузки
пластин, не предназначенные для работы
в вакууме
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые
встроенной программой, такие, как:
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения и 900922900
экспонирования для обработки пластин
методом фотооптической или
рентгеновской литографии, имеющие любую
из следующих составляющих:
а) источник света с длиной волны короче
400 нм; или
б) способность воспроизводить рисунок с
минимальным размером разрешения от
0,7 мкм и менее
Примечание. Минимальный размер
разрешения (МРР) рассчитывается по
следующей формуле:
(экспозиция источника освещения с
длиной волны в мкм) x (К фактор)
МРР = ---------------------------------
цифровая апертура
где К фактор = 0,7;
3.2.1.6.2. Установки, специально спроектированные 845610000
для производства шаблонов или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного луча, пучка
ионов или лазерного луча, имеющие любую
из следующих характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить рисунок с
минимальными разрешенными проектными
нормами менее 1 мкм; или
в) точность совмещения лучше
+/- 0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны,
разработанные для интегральных схем,
контролируемых по пункту 3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим 901090000
слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая
встроенной программой, специально
спроектированная для испытания готовых
или находящихся в разной степени
изготовления полупроводниковых
приборов, и специально спроектированные
компоненты и приспособления для нее:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров 903180390
транзисторных приборов на частотах
свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, 903180390
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам истинности) с
частотой тестирования строк более
60 МГц
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не
контролируется аппаратура испытаний,
специально спроектированная для
испытаний:
а) электронных сборок или класса
электронных сборок для бытовой или
игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных
компонентов, электронных сборок или
интегральных схем;
3.2.2.3. Для испытаний микроволновых 903180390
интегральных схем на частотах,
превышающих 3 ГГц
Примечание. По пункту 3.2.2.3 не
контролируется аппаратура испытаний,
специально спроектированная для
испытания микроволновых интегральных
микросхем для оборудования,
предназначенного или пригодного по
техническим условиям для работы в
стандартном гражданском диапазоне на
частотах, не превышающих 31 ГГц;
3.2.2.4. Электронно-лучевые системы, 903180390
спроектированные для работы на уровне
3 кэВ или менее, или лазерные лучевые
системы для бесконтактного зондирования
запитанных полупроводниковых приборов,
имеющие все следующие составляющие:
а) стробоскопический режим либо с
затенением луча, либо с детекторным
стробированием; и
б) электронный спектрометр для замера
напряжений менее 0,5 В
Примечание. По пункту 3.2.2.4 не
контролируются сканирующие электронные
микроскопы, кроме тех, которые
специально спроектированы и оснащены
для бесконтактного зондирования
запитанных полупроводниковых приборов
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с несколькими
последовательно наращенными
эпитаксиальными слоями, имеющими любую
из следующих составляющих:
3.3.1.1. Кремний; 381800900
3.3.1.2. Германий; или 381800900
3.3.1.3. Соединения III/V на основе галлия или 381800900
индия
Техническое примечание. Соединения
III/V - это поликристаллические или
двухэлементные или сложные
монокристаллические продукты, состоящие
из элементов групп IIIA и VA
периодической системы Менделеева (по
отечественной классификации это группы
A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид
галлия, фосфид индия и т.п.)
3.3.2. Материалы резистов и подложки, покрытые
контролируемыми резистами, такие, как:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для 854140990
полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для использования на
спектральную чувствительность менее
370 нм;
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 854140990
использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или
лучше;
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 854150990
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или
лучше;
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 854140990
технологии формирования рисунка,
включая силицированные резисты
Техническое примечание. Методы
силицирования - это процессы,
включающие оксидирование поверхности
резиста, для повышения качества мокрого
и сухого проявления
3.3.3. Органо-неорганические компаунды, такие,
как:
3.3.3.1. Органо-металлические соединения на 293100900
основе алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы свыше
99,999%;
3.3.3.2. Органо-мышьяковистые, 293100900
органо-сурьмянистые и органо-фосфорные
соединения с чистотой органической
элементной основы свыше 99,999%
Примечание. По пункту 3.3.3
контролируются только соединения, чей
металлический, частично металлический
или неметаллический элемент
непосредственно связан с углеродом в
органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 284890000;
имеющие чистоту свыше 99,999% даже 285000100
после растворения в инертных газах или
водороде
Примечание. По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды, содержащие 20%
и более молей инертных газов или
водорода
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам 3.1.1.2 -
3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
созданное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом по
пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), предназначенное для
полупроводниковых приборов или
интегральных схем, имеющее любую из
следующих составляющих:
3.4.3.1. Правила проектирования или правила
проверки (верификации) схем;
3.4.3.2. Моделирование схем по их физической
топологии; или
3.4.3.3. Имитаторы литографических процессов для
проектирования
Техническое примечание. Имитатор
литографических процессов - это пакет
программного обеспечения, используемый
на этапе проектирования для определения
последовательности операций литографии,
травления и осаждения в целях
воплощения маскирующих шаблонов в
конкретные топологические рисунки
проводников, диэлектриков или
полупроводникового материала
Примечание. По пункту 3.4.3 не
контролируется программное обеспечение,
специально созданное для описания
принципиальных схем, логического
моделирования, раскладки и
маршрутизации (трассировки), проверки
топологии или размножения шаблонов
Особое примечание. Библиотеки,
проектные атрибуты или сопутствующие
данные для проектирования
полупроводниковых приборов или
интегральных схем рассматриваются как
технология
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пунктам
3.1, 3.2 или 3.5
Примечание. По пункту 3.5.1 не
контролируются технологии разработки
или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем, контролируемых по
пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих
оба нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы 1 мкм
или выше; и
2) не содержащие многослойных структур
Особое примечание. Термин
"многослойные структуры" в подпункте 2
пункта "б" примечания не включает
приборы, содержащие максимум два
металлических слоя и два слоя
поликремния
3.5.2. Прочие технологии для разработки или
производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных транзисторов на
гетероструктуре, приборов с квантовыми
ямами или приборов на сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов
Категория 4. Вычислительная техника
(ПРОДОЛЖЕНИЕ)